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IBM 展示专为液氮冷却优化的纳米片晶体管原型,性能可较室温翻倍

发布时间:2023-12-25 14:14:23来源:
12 月 25 日消息,在今年 12 月初旧金山举行的 IEEE 国际电子器件会议(IEDM)上,IBM 研究人员展示了首款专为液氮冷却优化的先进 CMOS 晶体管。

据 了解,液氮沸点极低,只有 -196°C,是目前主流电子器件无法承受的超低温。然而,在如此严寒的环境下,晶体管的电阻和漏电电流都会大幅降低,从而提升性能和降低功耗。

IBM 研发的纳米片晶体管将硅通道切割成薄薄的纳米片层,并用栅极完全包围,实现了更有效的电场控制。这种结构不但能将 500 亿个晶体管塞进指甲盖大小的区域,而且在液氮冷却下,性能更是惊人地翻了一番。

低温环境带来了两大优势:更低的电荷载子散射和更低的功耗。散射减少意味着电阻降低,电子在器件中的移动更加顺畅;而功耗的下降,则可以让器件在相同电压下驱动更大的电流。此外,液氮冷却还提高了晶体管的开 / 关灵敏度,只需更小的电压变化即可切换状态,进一步降低功耗。

然而,低温也带来了新的挑战:阈值电压升高。阈值电压是指将晶体管导通所需的电压,它会随着温度下降而升高,使得器件开关更加困难。传统工艺难以降低阈值电压,因此 IBM 研究人员采用了一种全新的双金属栅极和双偶极子技术。他们通过在 n 型和 p 型晶体管的接口处添加不同的金属杂质,形成偶极子,从而降低电子跨越导带边所需的能量,使晶体管更加高效。

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