此前报道，ASML 研制的高数值孔径光刻设备主要用于生产 2nm 工艺半导体芯片，数值孔径（NA）光学性能从 0.33 提高到 0.55。

ASML 明年规划产能仅有 10 台，而英特尔已经预订了其中 6 台，不过 ASML 计划在未来几年内将此设备产能提高到每年 20 台。

ASML 新的高数值孔径 EUV 系统涉及一种全新的工具，具有 0.55 数值孔径的镜头，分辨率为 8 纳米。

ASML 官方并未说明向英特尔交付了哪款型号的光刻设备，非官方消息来源称本次交付的是 Twinscan EXE：5000 原型，交付给英特尔位于俄勒冈州的研究中心。

报道称本次交付采用了 250 个大箱包装，共计占用了 13 个集装箱，考虑到交货时间和后续安装，真正投入使用还需要数月时间。

此外报道称，英特尔在量产过程中，会使用 ASML 更先进的 Twinscan EXE：5200 光刻设备，预估一台成本为 2.5 亿欧元。