注：双层堆栈架构指在 300mm 晶圆上生产一个 3D NAND 堆栈，然后在第一个堆栈的基础上建立另一个堆栈。

而三星即将生产的超 300 层第 9 代 V-NAND 将提高单个晶圆上生产的存储密度，这将有利于降低固态硬盘的成本。

作为竞争对手，SK 海力士的三层堆栈架构则是创建三组不同的 3D NAND 层，而这种做法将增加生产步骤和原材料的用量，目的是最大限度提高产量。

另据《首尔 》报道，业界认为三星在推出第 9 代 3D NAND 之后，将有望在第 10 代 430 层的 3D NAND 中采取三层堆栈架构。该报援引业内人士称，若 3D NAND 层数超过 400，原材料用量和晶圆成本也会水涨船高，同时也会保证产量。

在去年 10 月举行的“2023 三星科技日”上，三星曾提出长期愿景：2030 年将层数提升至 1000 层。